蝕刻機和光刻機有什麽不同？

近期光刻技（jì）術和蝕刻機一直全是當今較熱的話題討論（lùn），可以說光刻技術（shù）是芯片製造的魂，蝕（shí）刻機是芯片製造的魄，要想生（shēng）產製（zhì）造的處理芯片，這兩個物品都務必。
這倆設備簡易的表述便是光刻技術把原理圖投射到遮蓋有光刻技術的單（dān）晶矽片上邊，蝕刻（kè）機再把剛剛畫了原理圖的單晶矽片上的不必要原理圖浸蝕掉，那樣看上去好像沒有什麽難的，可是有（yǒu）一個品牌形象的形容，每一塊處理（lǐ）芯片上邊的電源（yuán）電（diàn）路構造變大成千上萬倍看來比全部北京市都繁雜（zá），這就是這光刻技術和蝕刻的（de）難度係數。
光刻（kè）技術（shù）的全過程就是（shì）目前（qián）製做好的矽圓（yuán）表層塗上一層光刻技術（一種能夠被光浸蝕的膠狀物化學物質），接下去（qù）根據光源（加工工藝難度係數紫外線＜深紫外線＜極紫外線）通過掩膜照（zhào）射矽圓表層（相近投射），由於光刻技術的（de）遮蓋，照射（shè）的一部分被浸蝕掉，沒有陽光照（zhào）射的一部（bù）分被（bèi）留下，這些就是必須的電源電路構造。
蝕刻（kè）分成二種，一種是幹刻，一（yī）種是濕刻（現階段流行），說白了，濕刻便是全過程中有冰添加，將上邊曆經光刻技術的圓晶（jīng）與特（tè）殊（shū）的化學溶液反映，除（chú）掉不用的一部分，剩餘的（de）就（jiù）是電源電路構造了，幹刻現階段都還沒完成商業服務批量生產，蝕刻機基本原理是根據等離子技術替代（dài）化學溶液，除去不（bú）用的（de）矽圓一部分。