蝕刻機與光刻機的區別在於:光刻機會將圖案印製到材料上,然後蝕(shí)刻機(jī)根據(jù)這(zhè)個圖案去除相應區域(無論(lùn)是(shì)有圖案的還是沒有圖(tú)案的部分(fèn)),保留其(qí)它部分。與光刻相比,蝕刻操(cāo)作相對(duì)簡單。可以把在矽晶體上進行加工比作木匠的工作:光刻機相當於木匠在木材上用墨鬥劃線,而蝕刻機則(zé)像木匠使用鋸子、鑿子、斧頭和刨子等工具來進行加工。雖然蝕刻機和光刻機在性質上是類似的,但對精度的要求(qiú)卻差異很大。木匠的精細工(gōng)作通常隻需達到毫米級別,而用於芯片製造的(de)蝕刻機和光刻機則必須達到納米級別。比如,現在的手機芯片采用的是台積電的10納米技術。10納米有(yǒu)多(duō)小呢(ne)?假設將一根直(zhí)徑為0.05毫米的頭發絲平均分成5000段,那麽每一段的厚度大致就是(shì)10納米。
光刻機,也(yě)稱為掩模對準曝光機、曝光係(xì)統或(huò)光刻係統,是一種(zhǒng)重要的設備。一般的光刻工藝包括以下(xià)步驟:清洗和烘幹矽片表麵、塗覆底層、旋塗光刻膠、進行軟烘、對準曝光、後烘、顯影、硬烘以及刻(kè)蝕等過程。
光刻是指利用光(guāng)線製作(zuò)圖形的工藝。首先在(zài)矽片表麵均勻塗布光刻膠,然後將掩模上(shàng)的圖形通過光線轉印(yìn)到光刻膠上,這一過程相當於將器件或電路結構暫時“複製”到矽片上。