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13933151511開始的(de)蝕刻技術(shù)性是運(yùn)用特殊的水溶液與塑料(liào)薄膜(mó)間所(suǒ)開展的化學變化來除去塑料薄膜未被光阻遮(zhē)蓋的一部分,而做到蝕刻的目地,這類蝕刻(kè)方法也就是五金蝕刻設備廠家說白了的濕試蝕(shí)刻。由於濕試蝕刻是運用化學變化來開(kāi)展塑料薄膜的除去,而化學變化自身沒有專一性(xìng),因而濕試蝕刻全過程為(wéi)等抗逆性,一般而言此方法不能界定3μm下列(liè)的(de)圖形界限,但針對3μm之上的圖形界限界定濕試蝕刻依然為一可挑選選用(yòng)的(de)技術性。
濕試蝕刻往往在微電子技術製作過程中被普(pǔ)遍(biàn)的選用乃因(yīn)為其具備降低成本、很高的可靠性、增產能及優(yōu)異的蝕刻挑選比等優勢。但相對性於(yú)幹試蝕刻,除開無(wú)法定義偏細的圖形界限外,濕試蝕刻仍有下列的缺陷:
1)需花銷較高(gāo)成本費的反映水溶(róng)液(yè)及雙蒸水;
2)化學品解決時工作人員所遭受的安全隱(yǐn)患;
3)光阻粘(zhān)合力難題;
4)汽泡產生(shēng)及有機(jī)化學蝕刻液沒法徹底與圓晶表層觸碰所導致的不徹底及不勻稱的(de)蝕刻;
5)有機(jī)廢氣(qì)及潛在(zài)性的可燃性。
濕試蝕刻全過(guò)程可分(fèn)成三個流程:
1)有機化學蝕(shí)刻液(yè)外擴散至待蝕刻原材料之(zhī)表層;
2)蝕刻液與(yǔ)待蝕刻原材料產生化學(xué)變(biàn)化(huà);
3)反映後之(zhī)物質從(cóng)蝕(shí)刻原材料之表層外擴散至水溶液中(zhōng),並隨(suí)水溶液排出來(3)。三個流程中開展比較(jiào)慢者(zhě)為速度操縱流程,換句話說該流程的化學(xué)反應速率即是全部反映之速(sù)度。
五金蝕刻設備(bèi)廠家強調絕大部(bù)分的蝕刻全過程包括了一個或好幾(jǐ)個化學變化流(liú)程,各種各(gè)樣形狀的反(fǎn)映都是有很有可能產生,但常碰到的反映是將待蝕刻層表層先(xiān)給予(yǔ)空氣氧化,再將此空氣氧化層融解,並隨水溶液排出(chū)來,這般不斷(duàn)開展以(yǐ)做到蝕刻的實際效果。如蝕刻矽、鋁時就是運用此類化學變化方法。
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