等離子蝕刻機工（gōng）藝說明

等離子蝕刻機蝕刻加工可分為兩個全過程：，等離子裏（lǐ）的有機（jī）化學（xué）活性組分，這種活性組（zǔ）分與液體原材料化學物質發生（shēng）反應，形（xíng）成揮發物化學物質，同時向表麵擴散、排出來。以CF4為例子，其電離度物（wù）F與S反應生成SiF4汽（qì）體，在含Si原材料的表麵形成微切削構造。等離子蝕刻加工就是指正離子（zǐ）蝕刻加工、磁控濺射蝕刻加工和等離子灰化等過程（chéng）。
等（děng）離子蝕刻機改性材料（liào）深度在於底材環境溫（wēn）度、等待時間各種材料蔓（màn）延特點，而改性材料的種類在（zài）於底（dǐ）材（cái）和工藝指標。等離子隻有在表麵上蝕刻加工好多個μm深，其表麵特性出現了改變，但大部分原材料表麵特（tè）性仍然能夠維持。該（gāi）方法還可用於表層清理（lǐ）、幹固、鈍化處理、更改吸水性和黏附（fù）性等，一樣可用於半（bàn）導體集成電路的製造過（guò）程中，還可以在光學顯微鏡下注意到試品變軟。化學變（biàn）化能通過有機化（huà）學磁控濺射（shè）造成揮發物物質（zhì）。常見氣體包含Ar、He、O2、H2、H2O、CO2、Cl2、F2和有機化學蒸（zhēng）汽等。可塑性無機化合物磁控濺射比具備（bèi）化學變化的（de）等離子磁控濺射更貼近物理現象。
在蝕刻（kè）中，密（mì）度高（gāo）的等離子源具備很多特點，能夠更準確地操縱產品工件規格，蝕刻（kè）加（jiā）工率更高，原材料可選擇性更強。多層的等離（lí）子源能在低壓下運行，因此（cǐ）能變弱鞘層震蕩。在芯片的蝕刻加工環節中，選用高（gāo）密度的等離子（zǐ）源蝕刻技術，必須運用單獨的微波射頻源對圓晶開展閾值電壓，使能量和正離子互（hù）不（bú）相關。因為離子的動能一般在幾個電子伏數量級（jí），因此當正離子進到負鞘層（céng）後，根據動（dòng）能加快會達到（dào）幾百電子伏，而且具有較高的導向性，從而（ér）使得正離子蝕刻加工具備各種各樣。